不揮発性RAM
電源供給がなくても10年くらいは内容を保持してくれるメモリの総称。
現在は今のDRAMと同じくらいのスペックで、リフレッシュ動作なしで記憶を保持し続けるメモリを開発中らしい。
応用: 主記憶、二次記憶、FPLD、たまにアップデートもするROM、ロジックと混載してニューラルコンピューティングなど。
パラメタ: 速度(rw)、回数(rw)、電圧(rw)、容量、保持期間、ロジックとの混載しやすさ、コスト(面積)
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進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(1) 進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(2)
SRAM
速い&高い。読み書き無制限。保持期間は数秒?
CPUのレジスタやキャッシュ。
Flash memory
書き込みが遅い。安い。
書き込み回数 106回。少なすぎるので工夫が必要。
デジカメ、EEPROM、SDなどに利用されていてメジャー
OUM Ovonics Unified Memory
量産2004年くらい??Intel, ST Micro, ECD Ovonics
非破壊読み出し、書きこみ 1012回
http://www.atmarkit.co.jp/fpc/rensai/zunouhoudan021/oum.html http://www.ovonic.com/res/2_6_electronic_memory/electronic_memory.htm http://www.ovonic.com/PDFs/Elec_Memory_Research_Report/OUM.pdf http://www.ovonyx.com/oum_apps.html
FeRAM(FRAM)
既に実用化。スマートカードに利用NEC, 日立, 富士通, 松下, Micron
破壊読み出し
書きこみ 1012回(破壊読み出しなので読み出し回数も1012回)
http://magazine.fujitsu.com/vol53-2/paper01.pdf
MRAM
量産2004年くらいIBM, Motorola, Infineon
非破壊読み出し、書きこみ無制限(HDDの実績から無制限と予想されているが未確認)
http://www.infonet.co.jp/ueyama/ip/glossary/mram.html http://www.tuat.ac.jp/~spinelec/MeetingNo1memo.html 書きこみ電流が大きい(DRAMの250倍くらい) http://www.tuat.ac.jp/~spinelec/Arimoto.pdf
http://ne.nikkeibp.co.jp/semicon/2002/12/1000016126.html ソニーがDRAM程度の電力で書き込みできる技術を公開。製品化は2004年くらい。
http://ne.nikkeibp.co.jp/DSP/2003/04/1000018043.html 東芝・NECが1Mbit MRAM発表
